Memória Samsung estreia DDR3 de 30 nanómetros ainda neste trimestre

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Samsung estreia DDR3 de 30 nanómetros ainda neste trimestre

As primeiras memórias de DDR3 de 30 nanómetros da Samsung deverão chegar ao mercado ainda neste primeiro trimestre. As novas memórias consomem menos 30% de energia.



A Samsung vai começar a disponibilizar, em breve, os novos chips DDR3 (sigla de Double Data Rate, Third Generation) para servidores, computadores de secretária e portáteis.
Segundo a Computerworld, estas unidades de memória apresentam uma densidade de 2Gb (Gigabits) e distinguem-se por ter uma tensão eléctrica de 1,35 volts ou 1,50 volts, consoante os casos.
Além de permitirem uma redução de 30% nos consumos energéticos, a terceira geração das DRAM tem ainda a vantagem de apresentar mais do dobro da eficiência no que toca a custos de produção.
A estreia das novas memórias DRAM está prevista para o primeiro trimestre de 2010, mas só no segundo semestre do mesmo ano se prevê iniciar a produção em massa destes chips.
A Samsung está convicta de que a DDR3 acabará por dominar o segmento informático, substituindo as antecessoras que dão pelo nome de DRAM DDR2.

fonte:http://aeiou.exameinformatica.pt/sa...-30-nanometros-ainda-neste-trimestre=f1004868
 
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